Tikai lasāmas atmiņas ierīces(ROM) ir paredzēti, lai saglabātu informāciju, piemēram, tabulas, programmas, jebkuras konstantes. Informācija ROM tiek saglabāta, kad strāvas avots ir izslēgts, t.i., ROM ir nemainīgas atmiņas mikroshēmas un darbojas tikai informācijas atkārtotas lasīšanas režīmā.

Pamatojoties uz informācijas ievadīšanas metodi ROM (programmēšana), tos iedala 3 grupās:

§ Kad ražotājs ir ieprogrammējis, sauc maska(pielāgots) vai saīsināti PZUM, un buržuāziskajā ROM.

§ Vienreizēji programmējams lietotājs (parasti izdedzinot kausējamos džemperus mikroshēmā) vai PROM, vai buržuāzijā PROM.

§ Atkārtoti programmējams lietotājam (pārprogrammējams) vai RPOM. Buržuāziskais EPROM.

Vienreiz programmējamos ROM atmiņas elementa vietā, kā RAM, starp kopnēm ir ievietots džemperis plēves vadītāju, diožu vai tranzistoru veidā. Džempera klātbūtne atbilst žurnālam. 1, tā neesamība ir žurnāls. 0 vai otrādi. Šādu ROM programmēšanas process ir saistīts ar nevajadzīgu džemperu izdegšanu, un tāpēc šāda veida ROM turpmāk nevarēs ieprogrammēt.

Flashable ROM

Flashable ROM ir sadalīti divās klasēs:

§ Ar elektrisko signālu rakstīšanas un dzēšanas režīmu.

§ Ar elektriskā signāla ierakstīšanas un ultravioletā starojuma dzēšanas režīmu.

RPOM mikroshēmas nodrošina vairākas programmēšanas iespējas (no simtiem līdz tūkstošiem ciklu), spēj saglabāt informāciju, ja nav strāvas, vairākus tūkstošus stundu, prasa ievērojamu laiku pārprogrammēšanai (kas izslēdz iespēju izmantot kā RAM), un tām ir salīdzinoši ilgs nolasīšanas laiks.

Atmiņas elements RPOM ir lauka efekta tranzistors ar MNOS vai MOS struktūru ar peldošiem vārtiem vai LISMOS - MOS tranzistoru ar lavīnas lādiņa iesmidzināšanu. Šie tranzistori programmēšanas sprieguma ietekmē spēj ierakstīt elektrisko lādiņu zem vārtiem un glabāt to daudzus tūkstošus stundu bez barošanas sprieguma. Lai pārprogrammētu šādu ROM, vispirms ir jāizdzēš iepriekš ierakstītā informācija. ROM uz MNOS tranzistoriem dzēšanu veic ar elektrisko signālu, kas izspiež zem vārtiem uzkrāto lādiņu. ROM uz LISMOP tranzistoriem ierakstītās informācijas dzēšana notiek ultravioletā (UV) starojuma ietekmē, kas apstaro kristālu caur īpašu logu mikroshēmas korpusā.

EPROM, ko dzēš ar UV starojumu, ir vairāki trūkumi, salīdzinot ar EPROM, kas izdzēsti ar elektrisko signālu. Piemēram, lai izdzēstu UV informāciju, ir nepieciešams noņemt mikroshēmu no kontaktierīcēm (ligzdām), kas nav īpaši ērti. Turklāt loga klātbūtne korpusā padara EPROM mikroshēmu jutīgu pret gaismu, kas palielina nejaušas informācijas dzēšanas iespējamību. Un pārprogrammēšanas ciklu skaits ir tikai daži desmiti, savukārt RPOM ar dzēšanu ar elektrisko signālu tas pats skaits sasniedz 10 000.

ROM atmiņas elementi (RPM).

Galvenā prasība šādai šūnai ir informācijas saglabāšana, kad strāva ir izslēgta. Apskatīsim viena tranzistora shēmas shēmu bipolāram ROM.

Tranzistora emitētāja ķēdē ir kausējamā saite (P), kuru nepieciešamības gadījumā sākotnējās programmēšanas laikā var iznīcināt.

Piekļūstot SL caur adreses līniju, nebojāta džempera gadījumā tranzistora emitētāja strāva plūdīs RL. Ja džemperis ir bojāts, strāva neplūst.

ROM atmiņas elementu var izgatavot arī, izmantojot MOS tranzistorus. Tomēr bipolārajiem ROM ir lielāks ātrums (apgrieziena laiks 20...60 ns), bet arī lielāka jaudas izkliede nekā ROM, kuru pamatā ir MOS tranzistors (apgrieziena laiks 200...600 ns).

Flashable ROM pašlaik ir divu veidu. Pirmā tipa ROM atmiņas elementu matrica tiek ražota līdzīgi kā uz MOS tranzistoriem balstīta ROM matrica, bet kurā starp metāla vārtiem un izolācijas oksīda slāni ir nogulsnēts plāns silīcija nitrīda (MNOS tranzistoru) slānis. Silīcija nitrīds spēj uztvert un uzturēt elektrisko lādiņu ilgu laiku (līdz 10 gadiem vai ilgāk). Sākotnējā stāvoklī tranzistoram ir augsts atvēršanas spriegums (10...15) V, kas pēc silīcija nitrīda slāņa uzlādes samazinās līdz darba līmenim. Lai uzlādētu silīcija nitrīda slāni, uz MNOS tranzistora vārtiem tiek pievadīts augstsprieguma programmēšanas impulss, kura amplitūda ir vairākas reizes lielāka par darba sprieguma līmeņiem (15...20) V. Kad tiek ievadīts signāls adreses līnijai, kas savienota ar tranzistoru vārtiem, atveras tikai uzlādēti tranzistori. Tādējādi lādiņa klātbūtne noved pie tā, ka elektroniskā ierīce saglabā 0, bet tā neesamība - 1.

Lai izdzēstu ierakstīto informāciju, t.i. Lai noņemtu silīcija nitrīda slāņa uztverto lādiņu, ir jāpieliek sprieguma impulss, kas ir pretējs tam, kas tiek reģistrēts MNOS tranzistora vārtiem.

Citas EP ROM versijas ir izgatavotas uz MNOS tranzistoriem ar peldošiem (izolētiem) vārtiem. Augsta sprieguma pieslēgšana starp avotu un noteci izraisa lādiņa uzkrāšanos peldošajos vārtos, radot vadošu kanālu starp noteci un avotu. Informācijas dzēšana tiek veikta, apstarojot tranzistorus caur kvarca logu ar ultravioleto starojumu, kas izlādē tranzistoru vārtus un pārvērš tos nevadošā stāvoklī.

Informācijas dzēšanai šādā veidā ir vairāki acīmredzami trūkumi, kas nav pieejami, izmantojot elektrisko dzēšanu. Lai to izdarītu, tranzistorā ir uzstādīti otrie vadības vārti. Taču, ņemot vērā EP lielo laukumu, EPROM mikroshēmām ar elektrisko dzēšanu ir 2...4 reizes mazāka informācijas jauda nekā mikroshēmām ar ultravioletās gaismas dzēšanu.

Jautājums

Analogā shēma

Neskatoties uz visiem digitālās skaitļošanas tehnoloģijas sasniegumiem, dažos gadījumos izrādās racionāli veikt matemātiskos aprēķinus ar analogajiem signāliem analogā formā. It īpaši, ja galīgajā formā jums ir nepieciešams iegūt rezultātu formā analogais signāls. Šajā gadījumā skaitļošanas ierīce izrādās daudz vienkāršāka nekā digitālā un daudz ātrāka. Analogā veidā var veikt visas pamata aritmētiskās darbības, logaritma un antilogaritma darbības, diferenciāciju un integrāciju, kā arī lineāro diferenciālvienādojumu sistēmu risinājumus. Pirms digitālo skaitļošanas ierīču parādīšanās analogie datori tika plaši izmantoti zinātniskajos pētījumos. Tagad to laiks ir beidzies, bet konkrētu elektronikas problēmu risināšanā atsevišķos gadījumos joprojām ir iespējams veiksmīgi izmantot analogās skaitļošanas metodes. Aprēķinu kļūda analogā formā parasti nepārsniedz 1%, un rezultāts tiek iegūts aptuveni 1 mikrosekundes laikā. Lai gan precizitāte ir daudz sliktāka nekā ar digitālajām aprēķinu metodēm, tā joprojām var būt pieņemama. Taču ātruma ziņā analogajām skaitļošanas ierīcēm var būt priekšrocības salīdzinājumā ar digitālajām.

Pastiprinātāja stadija

Ievērojams nulles novirzes samazinājums līdzstrāvas pastiprinātājā tiek panākts, izmantojot ķēdes risinājumu, kas tiek īstenots diferenciālā pastiprinātāja stadijā. Tās konstrukcijas pamatā ir līdzsvarota tilta princips. Zināms, ka tilta līdzsvars (skat. 2.15. att.) tiek saglabāts gan mainoties tam pievadītajam spriegumam, gan mainoties rezistoru pretestībai, ja nosacījums ir izpildīts.

Šī tilta īpašība samazina barošanas avota nestabilitātes un ķēdes elementu parametru izmaiņu ietekmi uz ieejas signāla pastiprināšanas procesu.

2.16. attēlā parādīta diagramma, kas izskaidro diferenciālā pastiprinātāja posma darbības principu. Ķēde sastāv no divām daļām: tilta un stabila strāvas avota, kas attēlots kā strāvas avots I uh. Ķēdes tilta daļā divus tilta plecus veido rezistori R un R (analogi shēmas rezistoriem R un R 2.15. att.), bet pārējos divus - tranzistori T un T (analogi rezistoriem R un R ķēdes 2.15. attēlā). Izejas spriegums tiek noņemts no tranzistoru kolektoriem, t.i. no tilta diagonāles. Tas ir vienāds ar nulli, kad tilts ir līdzsvarots, ko panāk, darbinot tranzistorus T un T ar identiskiem parametriem vienādos režīmos, kā arī ar identiskām rezistoru R un R pretestībām. Ja, paaugstinoties temperatūrai šo elementu darbības laikā, to parametru vērtības mainās vienādi, tad nosacījums (2.18) ir izpildīts. Ķēdes tilta daļas atbilstošo elementu parametru identitāti nodrošina ražošanas tehnoloģija integrālās shēmas, kas ietver diferenciālos posmus.

Rīsi. 2.15. Četru roku diagramma 2.16.att. Pastiprinātāja pakāpes diferenciālā tilta ķēde

Jautājums

Operacionālais pastiprinātājs ir augsta pastiprinājuma elektroniskais sprieguma pastiprinātājs ar diferenciālo ieeju un parasti vienu izeju. Izejas spriegums var simtiem vai pat tūkstošiem reižu pārsniegt sprieguma starpību ieejās.

Simboli diagrammā

Barošanas sprieguma spailes (V S+ un V S-) var būt apzīmētas atšķirīgi. Neskatoties uz dažādajiem apzīmējumiem, to funkcija paliek nemainīga – papildu enerģijas nodrošināšana signāla pastiprināšanai.

1) op-amp ierīču pievienošana un atņemšana

2) Op-amp instrumentu pastiprinātāji

3) Integrators

4) Diferenciators

Jautājums

Op-amp statiskie parametri:

Pastiprinājuma koeficients KD. Tas ir galvenais darbības pastiprinātāja parametrs ļoti zemā frekvencē. To nosaka op-amp bez atgriezeniskās saites dīkstāves režīmā izejas sprieguma Uout attiecība pret diferenciālo (starpības) spriegumu. Uin.d = Uin1 - Uin.

Op-amp pārsūtīšanas raksturlielums saskaņā ar DC - tā ir pastāvīga atkarība

izejas spriegums Uout no pastāvīga ieejas diferenciālā signāla Uin.d.

Kopējā režīma noraidīšanas koeficients K os. sf = K D/ K Ar. To var noteikt, ja abām operētājsistēmas pastiprinātāja ieejām tiek pievadīts vienāds spriegums, nodrošinot nulles vērtību

U ievade d. Izejas spriegumam arī jāpaliek nullei.

Ievades pretestība. Šī ir operētājsistēmas pastiprinātāja pretestība attiecībā pret ieejas signālu.

Op-amp izejas pretestība ( R d.. Definēts kā jebkuram citam

go pastiprinātājs.

Minimālā slodzes pretestība ( R Hmin). Tās vērtību nosaka maksimālā izejas strāva pie nominālā izejas sprieguma.

Ieejas nobīdes spriegums ( U ievade cm). Nosaka līdzstrāvas spriegumu, kas jāpievieno operētājsistēmas pastiprinātāja ieejai, lai izejas spriegums būtu nulle. Šis parametrs ņem vērā operētājsistēmas pastiprinātāja ieejas diferenciālās pakāpes nelīdzsvarotību un asimetriju.

Ieejas slīpstrāva ( es ievade cm). Vienāds ar divu op-amp ieejas strāvu vidējo aritmētisko vērtību ar izejas spriegumu, kas vienāds ar nulli, t.i. es ievade cm = ( es ievade1 + es inx2)/2.

Ieejas strāvas starpība (Δ es in = es ievade1 - es vx2). Šī ir absolūtā vērtība strāvas starpībai starp divām op-amp ieejām, ja izejas spriegums ir nulle. Šis parametrs ir līdzīgs U in.cm, arī lielā mērā raksturo operētājsistēmas pastiprinātāja ieejas posmu asimetrijas apjomu.

Nobīdes sprieguma Δ temperatūras novirze U ievade cm/Δ t un ieejas strāvas atšķirības Δ es in/Δ t . Temperatūras novirze atbilst kāda no parametra izmaiņām, ko izraisa apkārtējās vides temperatūras izmaiņas par 1 °C.

Barošanas sprieguma avota nestabilitātes ietekmes faktors K ak. n. Šī ir novirzes sprieguma izmaiņu attiecība pret izmaiņām vienā no barošanas spriegumiem, kas to izraisīja U lpp.

Specifikācijas:

Amplitūdas-frekvences un fāzes-frekvences raksturlielumi. Darbības

pastiprinātāji ar trīspakāpju struktūru mazam signālam, ob-

ir amplitūdas-frekvences reakcija (AFC) ar trim poliem.

Op-amp pārejoša reakcija. Op-amp pārejoša reakcija

ļauj maza signāla režīmā noteikt lineāros kropļojumus

impulsa signāls, ieskaitot izejas signāla pieauguma laiku plkst

viena sprieguma iedarbība pastiprinātāja ieejā.

Izejas sprieguma maiņas ātrums V U= Δ Uārā/Δ t .

Neinvertējošs pastiprinātājs

Neinvertējamam pastiprinātājam ir raksturīgs tas, ka ieejas signāls tiek pievadīts operacionālā pastiprinātāja neinvertējošajai ieejai. Šī savienojuma shēma ir parādīta zemāk

Neinvertējošā pastiprinātāja pieslēguma shēma.

Šīs shēmas darbība ir izskaidrota šādi, ņemot vērā ideāla op-amp īpašības. Signāls tiek padots uz pastiprinātāju ar bezgalīgu ieejas pretestību, un spriegumam pie neinvertējošās ieejas ir tāda pati vērtība kā invertējošajā ieejā. Strāva pie operatīvā pastiprinātāja izejas rada spriegumu uz rezistora R2, kas vienāds ar ieejas spriegumu.

Tādējādi šīs shēmas galvenie parametri ir aprakstīti ar šādu sakarību

No tā mēs iegūstam attiecību pret neinvertējošā pastiprinātāja pastiprinājumu

Tādējādi mēs varam secināt, ka tikai pasīvo komponentu vērtējumi ietekmē pieaugumu.

Jāņem vērā īpašs gadījums, kad rezistora R2 pretestība ir daudz lielāka par R1 (R2 >> R1), tad pastiprinājumam būs tendence uz vienotību. Šajā gadījumā neinvertējošā pastiprinātāja ķēde kļūst par analogo buferi vai op-sekotāju ar vienotu pastiprinājumu, ļoti augstu ieejas pretestību un praktiski nulles izejas pretestību. Tas nodrošina efektīvu ieejas un izejas atsaisti.

Invertējošais pastiprinātājs

Invertējošajam pastiprinātājam ir raksturīgs fakts, ka darbības pastiprinātāja neinvertējošā ieeja ir iezemēta (tas ir, savienota ar kopējo barošanas avotu). Ideālā op-amp sprieguma starpība starp pastiprinātāja ieejām ir nulle. Tāpēc atgriezeniskās saites ķēdei jānodrošina, lai spriegums pie invertējošās ieejas arī būtu vienāds ar nulli. Invertējošā pastiprinātāja ķēde ir parādīta zemāk

Invertējošā pastiprinātāja ķēde.

Ķēdes darbība ir izskaidrota šādi. Strāva, kas plūst caur invertējošo spaili ideālā op-amp, ir nulle, tāpēc strāvas, kas plūst caur rezistoriem R1 un R2, ir vienādas viena otrai un pretējā virzienā, tad pamata sakarība būs:

Tad šīs ķēdes ieguvums būs vienāds ar

Mīnusa zīme šajā formulā norāda, ka signāls ķēdes izejā ir apgriezts attiecībā pret ieejas signālu.

Integrators

Integrators ļauj ieviest ķēdi, kurā izejas sprieguma izmaiņas ir proporcionālas ieejas signālam. Vienkāršākā op-amp integratora shēma ir parādīta zemāk

Operacionālā pastiprinātāja integrators.

Šī shēma īsteno integrācijas darbību, izmantojot ieejas signālu. Es jau apskatīju shēmas dažādu signālu integrēšanai, izmantojot RC un RL ķēdes. Integrators ievieš līdzīgas izmaiņas ieejas signālā, taču tam ir vairākas priekšrocības salīdzinājumā ar ķēžu integrēšanu. Pirmkārt, RC un RL ķēdes ievērojami vājina ieejas signālu, un, otrkārt, tām ir augsta izejas pretestība.

Tādējādi integratora galvenās aprēķinātās attiecības ir līdzīgas integrējošajām RC un RL ķēdēm, un izejas spriegums būs

Integratori ir atraduši plašu pielietojumu daudzās analogajās ierīcēs, piemēram, aktīvie filtri un automātiskās vadības sistēmas

Diferenciators

Diferenciatora darbība ir pretēja integratora darbībai, tas ir, izejas signāls ir proporcionāls ieejas signāla izmaiņu ātrumam. Vienkāršākā diferenciācijas diagramma ir parādīta zemāk

Operacionālā pastiprinātāja diferenciators.

Diferenciators īsteno ieejas signāla diferenciācijas darbību un ir līdzīgs RC un RL ķēžu diferencēšanas darbībai, turklāt tam ir labākie parametri salīdzinot ar RC un RL ķēdēm: praktiski nemazina ieejas signālu un ir ievērojami zemāka izejas pretestība. Pamata aprēķinu attiecības un reakcija uz dažādiem impulsiem ir līdzīgas diferencēšanas ķēdēm.

Izejas spriegums būs

Dinamiskā tipa tikai lasāmās atmiņas ierīces (ROM)

ROM mikroshēmas saskaņā ar programmēšanas metodi, t.i., ievadot tajās informāciju, ir sadalītas trīs ROM grupās, kuras ražotājs vienreiz programmē, izmantojot pielāgotas fotomaskas (maskas) metodi, masku ROM (ROM, ROM), ROM, vienreiz programmējami lietotājam, izmantojot kausējamo džemperu sadedzināšanas metodi mikroshēmā (PROM, PROM), ROM, atkārtoti programmējams lietotājs, pārprogrammējams ROM (RPM, EPROM).

15. attēls. Maskas ROM mikroshēmas dizains uz bipolārām struktūrām.

16. attēls. ROM atmiņas elementi uz MOS tranzistoriem ar programmējamu sliekšņa spriegumu

Visu ROM mikroshēmu kopīgās īpašības ir to vairāku bitu (vārdnīcas) organizācija, lasīšanas režīms kā galvenais darbības režīms un nepastāvība. Tajā pašā laikā tiem ir arī būtiskas atšķirības programmēšanas metodē, lasīšanas režīmos un apstrādē lietošanas laikā. Tāpēc ir ieteicams izskatīt katru ROM mikroshēmu grupu atsevišķi.

PZUM mikroshēmas tiek ražotas, izmantojot bipolāru TTL, TTLSh tehnoloģiju, n-kanālu, p-kanālu un KMDP tehnoloģijas. Lielākajai daļai PZUM grupas mikroshēmu uzbūves princips ir vienāds un to var attēlot ar mikroshēmu struktūru K155PE21--KI55PE24 (15. att.) Strukturālās diagrammas galvenie elementi ir: atmiņas elementu matrica, DCX rindu dekoderi. un DCY kolonnas, selektori (kolonnu izvēles taustiņi), adreses draiveris, sajūtu pastiprinātāji Matrica sastāv no elektronisko signālu masīva, no kuriem katrs atrodas rindas un kolonnas krustpunktā. PZUM atmiņas elements ir rezistīvs vai pusvadītāju (diode, tranzistors) džemperis starp rindu un kolonnu. Informācija tiek ievadīta matricā mikroshēmas ražošanas procesā, un šī darbība tiek veikta galvenokārt ar divām dažādām tehnoloģiskām metodēm.

Starp dažādu sēriju PZUM mikroshēmām (1. tabula) daudzām ir standarta programmaparatūra. Piemēram, mikroshēmās PZUM K155PE21 - K.155PE24 attiecīgi tiek rakstīti krievu PE21, latīņu PE22 alfabēta burtu kodi, aritmētiskās zīmes un cipari PE23 un papildu rakstzīmes PE24. Kopā šīs mikroshēmas veido rakstzīmju ģeneratoru 96 rakstzīmēm 7X5 formātā.

Viena no KR555PE4 sērijas mikroshēmām satur programmaparatūru 160 rakstzīmēm, kas atbilst 8 bitu informācijas apmaiņas kodam KOI 2--8 ar 7X11 rakstzīmju formātu Mikroshēmā KMSh56RE2 ir programmaparatūra burtciparu rakstzīmju kodiem.

Mikroshēmai K505REZ ir ievērojams modifikāciju saraksts ar standarta programmaparatūru.

Divas kopīgi izmantotās mikroshēmas K505REZ-002, K.505REZ-003 satur krievu un latīņu alfabēta burtu kodus, ciparus, aritmētiskos un papildu rakstzīmes un tiek izmantotas kā 96 7X9 formāta rakstzīmju ģenerators ar rakstzīmju horizontālu skenēšanu.

1. tabula. Masku ROM mikroshēmas

Modifikācijām 0059, 0060 ir tāds pats mērķis, taču modifikācijas 0040--0049 satur programmaparatūras koeficientus ātrai Furjē transformācijai. Vairākas modifikācijas satur programmaparatūru sinusa funkcijai no 0 līdz 90° ar izšķirtspēju 10" (0051, 0052), no 0 līdz 45° (0068, 0069) un no 45 līdz 90° (0070,. 0071) ar 5 collu izšķirtspēja Modifikācijās 0080, 0081 ir iekļauta programmaparatūra funkcijai Y = X" pie X = 1 ... 128.

Mikroshēmas KR568PE2 modifikācijas satur standarta programmaparatūru starptautisko telegrāfa kodu simbolu Nr. 2 formātiem 5X7 un 7X9 (0001), krievu un latīņu alfabēta simbolus, kodu tabulas, skaitļus un aritmētiskās zīmes (0003, 0Q11), sinusa funkcijas no 0 līdz 90° (0309), montētājs (0303--0306), teksta redaktors (0301, 0302).

Mikroshēmai KR568RE2--0001 ir starptautisko telegrāfa kodu Nr. 2 un 5 programmaparatūra, un KR568REZ-0002 ir montētāja teksta redaktors.

Mikroshēmas KR1610PE1 -0100--KR1610PE1 -0107 modifikācijās ir iekļauta programmaparatūra programmatūra mikrodators "Iskra".

Minētās PZUM mikroshēmas ar standarta programmaparatūru jāuzskata par piemēriem, šādu mikroshēmu un to modifikāciju skaits nepārtraukti pieaug.

Lai programmētu PZUM mikroshēmas pēc lietotāja pieprasījuma, tehniskajās specifikācijās ir norādīta pasūtījuma forma.

ROM mikroshēmas darbojas šādos režīmos: uzglabāšana (bez paraugu ņemšanas) un lasīšana. Lai nolasītu informāciju, ir jāiesniedz adreses kods un aktivizējošie vadības signāli. PZUM mikroshēmas tapu piešķiršana ir parādīta attēlā. 17

Vadības signālus var piegādāt 1. līmenī, ja CS ieeja ir tieša (17. att., b), vai 0^, ja ieeja ir apgriezta (17. att., d)

Daudzām mikroshēmām ir vairākas vadības ieejas (17. att., a), kuras parasti savieno konkrēts loģiskais operators. Šādās mikroshēmās vadības ieejām ir jāpiemēro noteikta signālu kombinācija, piemēram, 00 (17. att., a) vai 110 (17. att., c), lai izveidotu lasīšanas atļaujas nosacījumu.

RAM mikroshēmu galvenais dinamiskais parametrs ir adreses paraugu ņemšanas laiks. Ja ir nepieciešams izvadīt signālus, pēc adreses koda saņemšanas uz CS vadības ieejām jānosūta impulsi. Šajā gadījumā, aprēķinot nolasīšanas laiku, ir jāņem vērā CS signāla izveidošanas laiks attiecībā pret adresi un atlases laiks. KR1610PE1 mikroshēmai ir papildu OE signāls, lai kontrolētu izeju.

Visu PZUM mikroshēmu izejas signāliem ir TTL līmeņi. Izejas ir konstruētas galvenokārt saskaņā ar trīs stāvokļu ķēdi.

17. attēls. Mask ROM mikroshēmas

Lai samazinātu enerģijas patēriņu, dažas mikroshēmas, piemēram, K.596PE1, ļauj izmantot impulsa barošanas režīmu, kurā jauda tiek piegādāta mikroshēmai tikai informācijas nolasīšanas laikā.

Pastāvīga tendence uz LSI atmiņas funkcionālo sarežģītību ir redzama arī ROM mikroshēmās: to struktūrā ir iebūvētas saskarnes vienības, lai izveidotu saskarni ar standarta kopni un apvienotu mikroshēmas ROM modulī bez papildu K1801PE1 dekodētājiem. K1809RE1, ierīces paškontrolei un kļūdu labošanai KA596RE2, K563RE2.

Mikroshēmām K1801 PE 1 un K1809 PE1 ir daudz kopīga to mērķis, dizains un darbības režīmi. Mikroshēmas tapu piešķiršana ir parādīta 17. attēlā, t.i. Abas mikroshēmas ir paredzētas darbam kā daļa no aprīkojuma ar standarta sistēmas mugurkaulu mikrodatoram: to struktūrā iebūvēta vadības ierīce (kontrolieris) ļauj savienot mikroshēmas tieši ar mugurkaulu. Kā ROM mikroshēmas tie satur matricu ar ietilpību 65384 EP, reģistrus un adrešu kodu dekodētājus, selektorus, un tiem ir 4KX16 bitu organizācija Informācija tiek ievadīta, izmantojot pasūtījuma kartes.

Struktūra ietver arī 3 bitu reģistru ar vadu mikroshēmas adreses kodu un salīdzināšanas shēmu mikroshēmas izvēlei kopnē. Iebūvētas adresācijas ierīces klātbūtne ļauj vienlaikus pieslēgt mugurkaulam līdz astoņām mikroshēmām bez papildu ierīces savienošana pārī

Mikroshēmu iezīme to mērķa dēļ ir adrešu ieeju Al--A15 un datu izvadu DOo--DO15 kombinācija. Izejas draiveri ir izgatavoti saskaņā ar trīs stāvokļu shēmu. Trīs nozīmīgākie adreses koda Ats--A13 biti ir paredzēti mikroshēmas izvēlei, pārējie biti Ats--At ir lasāmā vārda izvēlei. Galvenās adreses saņemšanas atļauju ģenerē salīdzināšanas ķēde, kuras pamatā ir mikroshēmas saņemto un “pieslēgto” adrešu salīdzināšanas rezultāts. Saņemtā adrese tiek fiksēta adrešu reģistrā, un ieejas un izejas nonāk trešajā stāvoklī.

Vadības signālu sistēmā ietilpst: DIN - atļauja nolasīt datus no RAM (citādi RD); SYNC — sinhronizācija

apmaiņa (citādi CE -- piekļuves izšķirtspēja), CS -- čipu izvēle, RPLY -- datu gatavības izejas signāls

pavada DOo-- DO15 informāciju, kas tiek nolasīta uz šosejas.

Uzglabāšanas režīmu nodrošina signāli SYNC = 1 vai CS = 1 Lasīšanas režīmā piekļuves laiku mikroshēmai nosaka SYNC = 0 signāls. Papildus tam adreses koda signāli tiek nosūtīti uz tapām ADOi--ADO15 un CS =0. Ja adrese ADO15--ADO13 sakrīt ar mikroshēmas adresi, ievades reģistrā tiek saņemta nolasītā vārda adrese, un tapas ADO,--ADO15 pāriet uz trešo stāvokli. Nolasītais vārds no matricas ir ​ierakstīts izejas datu reģistrā un, kad signāls DIN = 0, parādās izejās PO0 --RO)